innodisk內(nèi)存條 DDR3 4G 1600筆記本

嵌入式系統(tǒng)系列

我們的嵌入式系統(tǒng)符合JEDEC內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)，并提供各種不同外觀尺寸、容量、速度，以優(yōu)化嵌入式系統(tǒng)的表現(xiàn)。

• •小型 DIMM

• •經(jīng)過充分測(cè)試和優(yōu)化的穩(wěn)定性和性能

• •使用原始集成電路以滿足嚴(yán)格的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)

• • jedec 標(biāo)準(zhǔn)1.5 v (1.425 v ~ 1.575 v)和1.35 v (1.28 v ~ 1.45 v)

• •操作環(huán)境: 0 ° c ~ 85 ° c

• • rohs 符合性

• • ce/fcc 認(rèn)證

DDR3 筆記本內(nèi)存（小外框）是一種緊湊的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)存模塊，可巧妙地安裝在任何嵌入式、監(jiān)控和自動(dòng)化設(shè)置中。DDR3筆記本內(nèi)存符合所有相關(guān)JEDEC標(biāo)準(zhǔn)，具有1GB、2GB、4GB和8GB容量，數(shù)據(jù)傳輸速率分別為1066MT/s、1333MT/s、1600MT/s和1866MT/s。

DDR3 是一種電腦存儲(chǔ)器規(guī)格。它屬于SDRAM家族的存儲(chǔ)器產(chǎn)品，提供相較于DDR2 SDRAM更高的運(yùn)行性能與更低的電壓，是DDR2 SDRAM(四倍數(shù)據(jù)率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)的后繼者(增加至八倍)。

折疊降低功耗

DDR3內(nèi)存在達(dá)到高帶寬的同時(shí)，其功耗反而可以降低，其核心工作電壓從DDR2的1.8V降至1.5V，相關(guān)數(shù)據(jù)預(yù)測(cè)DDR3將比現(xiàn)時(shí)DDR2節(jié)省30%的功耗，當(dāng)然發(fā)熱量我們也不需要擔(dān)心。就帶寬和功耗之間作個(gè)平衡，對(duì)比現(xiàn)有的DDR2-800產(chǎn)品，DDR3-800、1066及1333的功耗比分別為0.72X、0.83X及0.95X，不但內(nèi)存帶寬大幅提升，功耗表現(xiàn)也比上代更好。

考慮服務(wù)器與工業(yè)級(jí)內(nèi)存需能承受全天候運(yùn)作的工作負(fù)載， DDR4-2933/3200工業(yè)級(jí)內(nèi)存采用好質(zhì)量等級(jí)原廠DRAM IC，具長(zhǎng)期穩(wěn)定供貨與固定組件優(yōu)勢(shì)，同時(shí)支持抗硫化技術(shù)應(yīng)用，可為常于污染或嚴(yán)苛環(huán)境運(yùn)作的邊緣設(shè)備，提供抗硫化內(nèi)存產(chǎn)品。 上市的DDR4-2933/3200工業(yè)級(jí)內(nèi)存包含UDIMM、SODIMM、RDIMM、ECC UDIMM與ECC SODIMM等規(guī)格。