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近期，國產(chǎn)半導(dǎo)體激光熱處理設(shè)備商成都萊普科技股份有限公司(簡稱“萊普科技”)創(chuàng)板IPO審核狀態(tài)變更為“已問詢”，保薦機(jī)構(gòu)為中信建投證券。
萊普科技成立于2003年12月，注冊(cè)資本為4818萬元，是國家級(jí)“專精特新”重點(diǎn)小巨人企業(yè)。該公司基于先進(jìn)精密激光技術(shù)和半導(dǎo)體創(chuàng)新工藝開發(fā)激光工藝設(shè)備，主要應(yīng)用于半導(dǎo)體先進(jìn)制程和先進(jìn)封裝，是國內(nèi)少數(shù)同時(shí)為半導(dǎo)體前、后道工序提供前沿激光工藝設(shè)備的廠商。
自成立以來，萊普科技圍繞先進(jìn)精密激光技術(shù)的產(chǎn)業(yè)應(yīng)用需求建立了覆蓋光、機(jī)、電、算以及半導(dǎo)體工藝的全流程核心技術(shù)體系，2024年國內(nèi)市占率約16%。
報(bào)告期內(nèi)，該公司相關(guān)設(shè)備已部署于華潤微、士蘭微、三安半導(dǎo)體、中車時(shí)代、華天科技、達(dá)邇科技等主流半導(dǎo)體廠商的先進(jìn)制程和先進(jìn)封裝產(chǎn)線。
其成功應(yīng)用于先進(jìn)制程3D NAND Flash存儲(chǔ)芯片、先進(jìn)制程DRAM存儲(chǔ)芯片、28nm及以下先進(jìn)制程邏輯芯片、SiC功率芯片、溝槽柵型IGBT功率芯片、先進(jìn)電源管理芯片、BSI-CCD芯片量產(chǎn)，以及國產(chǎn)HBM芯片工藝研發(fā)等前沿應(yīng)用場(chǎng)景。
此次IPO，萊普科技擬募資8.50億元，用于晶圓制造設(shè)備開發(fā)與制造中心項(xiàng)目等共五大項(xiàng)目。
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